|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК И СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 2209861 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B019/12 C30B025/18 C30B029/10 C30B029/38 C30B015/00 | | Аналоги изобретения: | VODAKOV Ju. A. et al. High rate Gan epitaxial growth by sublimation sandwich method. Journal of Crystal Growth. V. 183, 1998, р.10-14. Yang Q.K. et al. Growth and mosaic model of GaN growth directly on 6H-SiC (0001) by direct current plasma assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth. V.192, 1988, p.28. US 4 664 946 А, 12.05.1987. JP 62 176 996 А, 03.08.1987. |
| Имя заявителя: | Айтхожин Сабир Абенович | | Изобретатели: | Айтхожин С.А. | | Патентообладатели: | Айтхожин Сабир Абенович |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. Сущность изобретения: предложен класс материалов - моносилициды переходных металлов IV-периода и твердые растворы на их основе - в качестве материала подложек для роста эпитаксиальных слоев нитридов галлия.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента