|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОНОКРИСТАЛЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИСКОВ В УСТРОЙСТВАХ НА ПОВЕРХНОСТНО - АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2172362 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/34 C30B015/00 | | Аналоги изобретения: | WO 98/40544 A1, 17.09.1998. RU 2152462 C1, 10.07.2000. RU 2108418 C1, 10.04.1998. RU 96118840 A1, 10.12.1998. RU 2143015 C1, 20.12.1999. SHIMAMURA К. et al. Growth and characterization of lanthanum gallium silicate La<SB POS="POST">3</SB>Ga<SB POS="POST">5</SB>SiO<SB POS="POST">14</SB> single crystals for piezoelectric applications, "J. of Crystal Growth", 1996, v.163, p.388-392. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" | | Изобретатели: | Дороговин Б.А.
Степанов С.Ю.
Цеглеев А.А.
Дубовский А.Б.
Филиппов И.М.
Курочкин В.И.
Лаптева Г.А.
Горохов В.П.
Степанова Т.А. | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" |
Реферат | |
Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) и объемных акустических волнах (ОАВ). Сущность изобретения: в качестве монокристалла для изготовления дисков в устройствах на ПАВ используют монокристалл лантанголлиевого ниобата или лантангаллиевого танталата с диаметром 86-110 мм в направлении термостабильного среза, полученные методом Чохральского путем загрузки в иридиевый тигель предварительно синтезированной монокристаллической шихты, которую получают наплавлением синтезированной в виде профилированных таблеток поликристаллической шихты, полученных спеканием соответствующих оксидов в пространстве между внутренними стенками алундового тигля с диаметром, равным диаметру иридиевого тигля для выращивания монокристалла и алундовой трубкой в его центральной части, собираемых в виде полого цилиндра, вдоль центральной оси которого проходит кристаллодержатель с затравкой, при этом внутреннюю поверхность алундового тигля и внешнюю поверхность алундовой трубки покрывают платиной; создание защитной атмосферы проводят в два этапа: при расплавлении шихты используют только один газообразный аргон, а после расплавления добавляют кислород, вводят затравочный ориентированный в направлении термостабильного среза кристалл в контакт с поверхностью расплава и вытягивают на него монокристалл. Изобретение позволяет получать качественные крупногабаритные монокристаллы при упрощении способа синтеза и рациональном использовании сырья. 2 с. и 2 з.п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента