|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КАРБИД КРЕМНИЯ SIC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2162902 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B001/02 C30B029/36 | | Аналоги изобретения: | JNOUE ZENZABURO et. al. A SiC bicrystal junction on the (0001) plane. J.Mater. Sci. 1981, 16, N 8, 2297-2302. SU 327779 A, 04.06.1973. US Re.34,861, 14.02.1995. |
| Имя заявителя: | НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО., ЛТД. (JP) | | Изобретатели: | ТАНИНО Кития (JP) | | Патентообладатели: | НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО., ЛТД. (JP) | | Номер конвенционной заявки: | 9/245432 | | Страна приоритета: | JP |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для светоизлучающих диодов, рентгеновских оптических элементов, высокотемпературных полупроводников и т.д. Сущность изобретения: комплекс (М), сформированный путем выращивания пластины (4) из поликристаллического β-SiC способом термохимического осаждения из паровой фазы на поверхностях (2а) ориентации кристалла, которые объединены в одном направлении, многочисленных пластинчатых заготовок из монокристаллического SiC, уложенных в стопу и находящихся в плотном контакте, подвергают термообработке при температуре в диапазоне 1850-2400°С, за счет чего монокристалл, ориентированный в том же направлении, что и кристаллографические оси заготовок из монокристаллического SiC, выращивают от поверхностей ориентации кристалла в направлении к пластине из поликристаллического β-SiC. В результате этого можно легко и эффективно получать монокристаллический SiC высокого качества, в котором на поверхности раздела не образуются зародыши кристаллизации, примеси, дефекты в виде микрораковин и т.д. 3 с. и 15 з.п.ф-лы, 9 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента