|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2143014 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B023/02 C30B025/02 | | Аналоги изобретения: | US 5201985 A, 13.04.93. SU 1686042 A1, 23.10.91. US 4620963 A, 04.11.86. US 4584054 A, 12.04.86. CS 189987 B1, 30.09.82. JP 62171989 A, 28.07.87. Geibel C.et al. Vapor growth of CdTe as substrate material for Hg<SB>1-x</SB> Cd<SB>x</SB> Te epitaxy "J.Cryst Growth", 1988, 86, N 1 - 4, p.386-390. |
| Имя заявителя: | Медведев Сергей Александрович | | Изобретатели: | Медведев С.А.
Клевков Ю.В. | | Патентообладатели: | Медведев Сергей Александрович
Клевков Юрий Викторович |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в производстве высокочистых материалов для полупроводниковых приборов, синтезе и очистке нестехиометрических кристаллических соединений полупроводникового класса А2В6, A2B5 и А4В6. Кристаллическое соединение помещают в рабочую часть и, переводя многократно в газовую фазу и обратно, очищают от примесей. Предварительно проводят в этом же реакторе синтез очищаемого соединения, для чего исходные вещества помещают в вакуумированный реактор, осаждают одно вещество в виде тонкого слоя и затем, также нагреванием, переводят второе вещество в газовую фазу и подают на слой первого исходного вещества, получая подвергаемое далее очистке кристаллическое соединение. Устройство представляет собой вакуумированный реактор с вспомогательной и рабочей частями. Рабочая часть выполнена в виде кольцеобразной полости между двумя цилиндрами. К вспомогательной части примыкает крышка с концевой трубкой, имеющей отростки для подсоединения к вакуумному и криогенному насосам. Реактор помещен в печь, снабженную средством ее перемещения вдоль реактора. Технический результат заключается в совмещении в непрерывном технологическом цикле очистки кристаллического соединения с прямым полупромышленным методом его синтеза с получением сверхчистого продукта в достаточных (до 1 кг) количествах. 2 с. и 8 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента