|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ |  |
Номер публикации патента: 2054495 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B017/00 | | Аналоги изобретения: | Файфер С.И. и др. Состояние и перспективы развития производства высококачественных монокристаллов арсенида галлия. Электронная техника, сер. Материалы, 1988, В.2(231) с. 3 - 9. Jacob G. A novel crystal growth method for Ga AS the liquid encapsulated Kyropoulos method - J.Crystal Growth, 1982, v.58, N 2, p 455-459. |
| Имя заявителя: | Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт" (UA) | | Изобретатели: | Ковтун Геннадий Прокофьевич[UA]
Кравченко Александр Иванович[UA]
Жуков Александр Иванович[UA]
Стерлев Александр Николаевич[UA]
Щербань Алексей Петрович[UA] | | Патентообладатели: | Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт" (UA) |
Реферат | |
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов. Способ ведут методом Киропулоса под слоем флюса. Затравку приводят в соприкосновение с расплавом в поле с градиентом температуры, направленным от затравки в объем расплава. Толщину слоя расплава выбирают равной толщине подложки схемы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента