|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2046162 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B023/00 C30B029/48 | | Аналоги изобретения: | 1. Акимов И.В. и др. Влияние стехиометрии в монокристаллических соединениях А2В6 на характеристики полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком тр.ФИАН СССР.М.: Наука, 1987, т.177, с.142-171. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное предприятие "Принсипиа-Оптикс" | | Изобретатели: | Коростелин Ю.В. | | Патентообладатели: | Научно-производственное предприятие "Принсипиа-Оптикс" |
Реферат | |
Изобретение относится к производству материалов электронной техники и квантовой электроники, использующихся для изготовления экранов лазерных электронно лучевых трубок. Цель изобретения повышение качества выращиваемых монокристаллов, выращивание монокристаллов с заданной формой ростовой поверхности и поперечного сечения и увеличение размеров выращиваемых монокристаллов.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента