|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2026895 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B019/02 C30B029/06 | | Аналоги изобретения: | Лозовский В.Н. и др. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.:Металлургия, 1987, с.77-82. |
| Имя заявителя: | Коммерческая фирма "Нотриком" | | Изобретатели: | Крыжановский В.П.
Балюк А.В.
Середин Л.М.
Овчаренко А.Н.
Обуховский А.Н. | | Патентообладатели: | Коммерческая фирма "Нотриком" |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в промышленности при изготовлении ряда дискретных полупроводниковых приборов (например, тензодатчиков, полевых транзисторов, переключателей, датчиков малых перемещений и других приборов). Предложенный способ включает создание композиции из пластины-подложки и пластины-источника, ориентированных в направлении 100 и скомпонованных с зазором между ними 10 - 40 мкм и углах разориентации плоскостей, перпендикулярных их рабочим поверхностям, равным 1 - 20°, формирование в зазоре жидкой зоны, создание градиента температуры и последующую локальную перекристаллизацию пластины - источника путем сканирования лазерного пучка до выхода на ее поверхность фрагментированной зоны. Перед сканированием лазерного пучка вблизи поверхности пластины - источника со стороны подводимого пучка располагают фильтр из иртрана, представляющий собой круглую пластинку диаметром, равным диаметру пластины - источника, на эффективной поверхности фильтра, равной площади квадрата, вписанного в окружности фильтра, изготавливают сквозные щели.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента