|
В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.
Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается).
Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"
Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.
Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".
Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru
| МПК » C » C30 » C30B |
|
|
Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B 01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C 22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B 22D; обработка пластмасс B 29; изменение физической структуры металлов или сплавов C 21D,C 22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H 01L); устройства для вышеуказанных целей [3]
|
Всего позиций: 18 [1-18]
| Код и наименование раздела справочника МПК |
Патенты |
| C30B001/00 Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния (однонаправленное разделение эвтектик на составные части 3/00; под защитной жидкостью 27/00)[3] | [6] | | C30B007/00 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей 9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте 11/00; под защитной жидкостью 27/00)[3] | [95] | | C30B009/00 Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей (обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте 11/00; зонной плавкой 13/00; вытягиванием кристаллов 15/00; на погруженном затравочном кристалле 17/00; жидкофазным выращиванием эпитаксиальных слоев 19/00; под защитной жидкостью 27/00)[3] | [30] | | C30B011/00 Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (13/00, 15/00,17/00,19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью 27/00)[3] | [96] | | C30B013/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела 15/00; под защитной жидкостью 27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой 28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов)[3,5] | [47] | | C30B015/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью 27/00)[3] | [198] | | C30B017/00 Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса (15/00 имеет преимущество)[3] | [13] | | C30B019/00 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев [3] | [20] | | C30B021/00 Однонаправленное отвердевание эвтектик [3] | [1] | | C30B023/00 Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала [3] | [43] | | C30B025/00 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы [3] | [64] | | C30B027/00 Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью [3] | [1] | | C30B028/00 Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [5] | [23] | | C30B029/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой [3,5] | [534] | | C30B030/00 Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий [5] | [25] | | C30B031/00 Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей [3,5] | [31] | | C30B033/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (31/00 имеет преимущество)[3,5] | [101] | | C30B035/00 Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3,5] | [9] |
Всего позиций: 18 [1-18]
|
Поиск патентов