|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| АЛМАЗ, ЛЕГИРОВАННЫЙ БОРОМ |  |
Номер публикации патента: 2315826 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/04 C30B025/20 C23C016/27 A44C017/00 | | Аналоги изобретения: | HIROMU SHIOMI et al. Characterization of boron-doped diamond epitaxial films. "Japanese Journal of Applied Physics", v.30, № 7, 1991, p.p.1363-1366. SAMLENSKI R. et al. Characterization and lattice location of nitrogen and boron in homoepitaxial CVD diamond. "Diamond and Related Materials", v.5, № 9, 1996, p.p.947-951. FUJIMORI N et al. |
| Имя заявителя: | ЭЛЕМЕНТ СИКС ЛИМИТЕД (GB) | | Изобретатели: | СКАРСБРУК Джеффри Алан (GB)
МАРТИНОУ Филип Морис (GB)
ТУИТЧЕН Даниел Джеймс (GB)
ВАЙТХЕД Эндрью Джон (GB)
КУПЕР Майкл Эндрью (GB)
ДОРН Бэрбель Сусанне Шарлотте (GB) | | Патентообладатели: | ЭЛЕМЕНТ СИКС ЛИМИТЕД (GB) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения легированных бором монокристаллических алмазных слоев методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), которые могут быть использованы в электронике, а также в качестве ювелирного камня. Сущность изобретения: в указанном слое суммарная концентрация бора однородна.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента