|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ДИЭЛЕКТРИКА ОКСИДА АЛЮМИНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ МЕТАЛЛ - ДИЭЛЕКТРИК - ПОЛУПРОВОДНИК УСТРОЙСТВ |  |
Номер публикации патента: 2129094 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C01F007/02 C23C018/12 | | Аналоги изобретения: | Черняев В.И. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987, с.112. Там же, с.436. JP, заявка 50-11360, кл. С 01 Р 7/02, 1975. |
| Имя заявителя: | Дагестанский государственный технический университет | | Изобретатели: | Саркаров Т.Э.
Адамов А.П.
Хаспулатов Х.А. | | Патентообладатели: | Дагестанский государственный технический университет |
Реферат | |
Использование: при получении тонкопленочного диэлектрика оксида алюминия в производстве металл-диэлектрик-полупроводник устройств. Сущность: на поверхности подложки формируют тонкопленочный диэлектрик оксида алюминия при температуре 180-400oC осаждением из газовой фазы за счет реакции между хлоридом алюминия, кислородом и окисью азота.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента