SU 1619727 A1, 20.12.1995. RU 2290969 C2, 10.01.2007. SU 413753 A1, 25.06.1977.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Изобретатели:
Туманов Юрий Николаевич (RU) Григорьев Геннадий Юрьевич (RU) Зарецкий Николай Пантелеевич (RU) Ковальчук Михаил Валентинович (RU) Чайванов Борис Борисович (RU) Майоров Алексей Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления макро- и микроизделий - эмиттеров электронов с пониженной работой выхода электронов и с большим ресурсом работы, предназначенных для термоэмиссионных элементов электродуговых катодов генераторов плазмы и термоэмиссионных катодов электровакуумных или газонаполненных приборов, являющихся источником электронов. Способ изготовления эмиттера электронов из вольфрама с легирующими добавками заключается в том, что вводят в вакуумную камеру смесь гексафторида вольфрама, водорода и летучего фторида или иодида легирующей добавки в соотношении, соответствующему заданному составу эмиттера, воздействуют на указанную смесь лазерным лучом и отводят продукты реакции из камеры, при этом формируют эмиттер осаждением восстановленных вольфрама и легирующей добавки на подложку, выполненную из вольфрама, и размещенную по центру лазерного луча на держателе, перемещая при этом подложку относительно лазера со скоростью, равной скорости осаждения вольфрама и легирующей добавки. Техническим результатом является повышение ресурса работы вольфрамовых эмиттеров электронов за счет гомогенного распределения легирующих добавок с более низкой, чем у вольфрама, работой выхода электронов, снижение эрозии эмиттера за счет исключения окисления, повышение и возможность регулирования концентрации легирующих добавок, регулирование структуры вольфрама, снижение расхода материалов. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 3 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента