Jianhua hu et al. Textured fluorine-doped ZnO films by atmospheric pressure chemical vapor deposition and their use in amorphous silicon solar cells, Solar cells, Elsevier sequoia S.A. Lausanne, CH, vol. 30, N 1/4, 01.05.1991, реферат c.437, Introduction, Experimental procedure, Film deposition, conclusions. RU 2282599 C2, 27.08.2006. SU 789451 A, 23.12.1980. US 4751149 A, 14.06.1988. US 4508054 A, 02.04.1985.
Имя заявителя:
ПИЛКИНГТОН ГРУП ЛИМИТЕД (GB), АРКЕМА, ИНК. (US)
Изобретатели:
АБРАМС Майкл Б. (US) КОРОТКОВ Роман И. (US) СИЛВЕРМАН Гэри С. (US) СМИТ Райан (US) СТРИКЕР Джеффери Л. (US)
Патентообладатели:
ПИЛКИНГТОН ГРУП ЛИМИТЕД (GB) АРКЕМА, ИНК. (US)
Приоритетные данные:
08.09.2006 US 60/843,185
Реферат
Изобретение относится к способу химического осаждения из паровой фазы для нанесения покрытия из оксида цинка, имеющего низкое удельное сопротивление, на прозрачное изделие и изделие с покрытием, изготовленное этим способом. Способ, в котором используют перемещаемую прозрачную основу с поверхностью, имеющей температуру не более 400°С, и подают смесь исходных веществ из газовой смесительной камеры. Смесь исходных веществ включает цинксодержащее соединение и одно или более кислородсодержащих соединений. Цинксодержащее соединение и соединения, являющиеся источником кислорода, перемешивают вместе в смесительной камере в течение промежутка времени менее 500 мс до выхода смеси исходных веществ из смесительной камеры и ее контакта с поверхностью подложки, так что на этой поверхности формируется покрытие из оксида цинка посредством химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении и скорости осаждения по меньшей мере 5 нм/с. Получается покрытие, обладающее высоким коэффициентом пропускания излучения в видимой области спектра, низкой излучательной способностью и/или солнцезащитными свойствами, высокой электропроводностью или низким удельным поверхностным сопротивлением слоя. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл., 21 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента