ПРИБЫТКОВ Д.М. и др. Влияние ИК-излучения на окисление тонких пленок системы Cu-Ti на Si-подложке при пониженном давлении кислорода. Неорганические материалы. т.40, 10. 2004, с.1220-1223. RU 2351688 С2, 10.04.2009. EP 1693482 A1, 23.08.2006. EP 1796108 A1, 13.06.2007. JP 2003-257968 A, 12.09.2003.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU)
Изобретатели:
Иевлев Валентин Михайлович (RU) Канныкин Сергей Владимирович (RU) Кущев Сергей Борисович (RU) Синельников Александр Алексеевич (RU) Солдатенко Сергей Анатольевич (RU) Солнцев Константин Александрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения нанокристаллических пленок рутила и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов, а также при получении защитных и других функциональных покрытий. Способ включает формирование методом магнетронного распыления или электронно-лучевого испарения нанокристаллической пленки титана на оксидированной поверхности пластины из кремния и оксидирование пленки. Оксидирование осуществляют в окислительной газовой среде при импульсном облучении пленки титана фотонами с использованием импульсных ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм в течение 1,6-1,8 с при длительности импульсов 10-2 с и дозе поступающего на пленку излучения от 230 до 260 Дж·см-2. Технический результат - увеличение скорости оксидирования, снижение термической нагрузки на подложку, повышение плотности получаемой пленки. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента