US 5318801 A, 07.06.1994. RU 2014670 C1, 15.06.1994. RU 2092930 C1, 10.10.1997. SU 843028 A, 30.06.1981. DE 10133914 A1, 23.01.2003. DE 69117824 T2, 08.08.1996. DE 1005602 A1, 16.05.2002.
Имя заявителя:
АЙКСТРОН АГ (DE)
Изобретатели:
КЕППЕЛЕР Йоханнес (DE) ФРАНКЕН Вальтер (DE)
Патентообладатели:
АЙКСТРОН АГ (DE)
Приоритетные данные:
21.04.2006 DE 102006018514.5
Реферат
Изобретение относится к устройству и способу управления температурой поверхности, по меньшей мере, одной подложки, лежащей в технологической камере реактора CVD. Подложка размещена в опорной выемке (20) опоры держателей подложки на удерживаемом образованной газовым потоком динамической газовой подушкой (8) держателе подложки (9). Подвод тепла к подложке (9) осуществляют, по меньшей мере, частично с помощью теплопроводности через газовую подушку. Для уменьшения боковых отклонений температуры поверхности подложки от среднего значения образующий газовую подушку (8) газовый поток создают из двух или более газов с различно высокой удельной теплопроводностью и состав газов изменяют в зависимости от измеренных температур подложки. В результате достигается эффективное уменьшение боковых отклонений температуры поверхности подложки от среднего значения и соответственно повышается качество получаемого покрытия. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента