RU 2235071 C2, 27.08.2004. RU 2167955 C2, 27.01.2001. RU 2058427 C1, 20.04.1996. RU 2188878 C2, 10.09.2002. RU 2165476 C2, 20.04.2001. RU 2095468 C1, 10.11.1997. EP 1281680 A2, 05.02.2003. US 6253580 A, 03.07.2001. US 2003133853 A1, 17.07.2003. EP 0286306 A1, 12.10.1988.
Имя заявителя:
СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи (US)
Изобретатели:
АСЛАМИ Мохд А. (US) ВУ Дау (US) ДЕЛЮКА Чарльз (US)
Патентообладатели:
СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи (US)
Приоритетные данные:
07.07.2006 US 60/818,966
Реферат
Изобретение относится к способу и установке для получения поликристаллического кремния и может найти применение при изготовлении солнечных элементов. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния включает камерное средство для осаждения, средство для поддерживания подложки-мишени (104), имеющей поверхность осаждения (106) и множество горелочных средств (102) с индуктивно-связанной плазмой для получения множества плазменных факелов для реагирования по меньшей мере одного реагента с получением реакционного продукта и осаждения упомянутого реакционного продукта на упомянутой подложке-мишени (104). Множество горелочных средств (102) расположено на фиксированном расстоянии от упомянутой подложки-мишени. Средство для поддерживания перемещает упомянутую подложку-мишень (104) в направлении от упомянутого множества горелочных средств с индуктивно-связанной плазмой для обеспечения упомянутого фиксированного расстояния между упомянутой подложкой-мишенью и упомянутым множеством горелочных средств с индуктивно-связанной плазмой. 4 н. и 35 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента