JP 2003193237 A, 09.07.2003. JP 2003-342719 A, 03.12.2003. JP 2003-342716 A, 03.12.2003. JP 2003188104 A, 04.07.2003. WO 2003/097532 A, 27.11.2003. SU 1738872 A1, 07.06.1992. SU 396448 A, 17.01.1974. RU 2186152 C2, 27.07.2002.
Имя заявителя:
ГЭЛИЭМ ЭНТЕРПРАЙЗИС ПТИ ЛТД (AU)
Изобретатели:
БАТЧЕР Кеннет Скотт Александр (AU) ВИНТРЕБЕР эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз (AU) ЧЭНЬ Патрик По-Тсан (AU) ТЕН ХАВЕ Джон Лео Пол (AU) ДЖОНСОН Дэвид Ян (AU)
Патентообладатели:
ГЭЛИЭМ ЭНТЕРПРАЙЗИС ПТИ ЛТД (AU)
Приоритетные данные:
27.09.2004 US 60/613,910 01.07.2005 AU 2005903494 07.07.2005 AU 2005904919
Реферат
Изобретение относится к способу выращивания пленки нитрида металла группы (III) химическим осаждением из газовой фазы с удаленной плазмой, устройству для осуществления способа и пленке нитрида металла группы (III) и может найти применение при изготовлении светоизлучающих диодов, лазерных светодиодов и других сверхвысокочастотных транзисторных приборов высокой мощности. Способ включает нагревание объекта, выбранного из группы, включающей в себя подложку и подложку, имеющую буферный слой, в камере для выращивания до температуры в интервале от примерно 400°С до примерно 750°С, образование активных нейтральных азотных компонентов в азотной плазме, расположенной на удалении от камеры для выращивания, и перемещение активных нейтральных азотных компонентов в камеру для выращивания. Реакционную смесь образуют в камере для выращивания, данная реакционная смесь содержит компонент металла группы (III), способный к реакционному взаимодействию с азотным компонентом таким образом, чтобы сформировать пленку нитрида металла группы (III), и пленку нитрида металла группы (III) формируют на нагретом объекте при условиях, обеспечивающих пригодность пленки для использования в приборах. Пленка нитрида металла группы (III) имеет концентрацию кислорода менее 1,6 атомных %. 3 н. и 23 з.п. ф-лы, 3 табл., 21 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента