WO 99/27156 A, 03.06.1999. RU 2141006 C1, 10.11.1999. RU 2189401 С2, 20.09.2002. RU 2105379 С1, 20.02.1998. RU 2015747 C1, 15.07.1994. ЕР 0152256 А, 21.08.1985. US 4693799 A, 15.09.1987. US 6171438 B1, 09.01.2001. JP 10237663 A, 08.09.1998.
Имя заявителя:
Вавилин Константин Викторович (RU), Кралькина Елена Александровна (RU), Павлов Владимир Борисович (RU), Ко Сеок Кеун (KR), Ли Чеол Су (KR)
Изобретатели:
Вавилин Константин Викторович (RU) Кралькина Елена Александровна (RU) Павлов Владимир Борисович (RU) Ко Сеок Кеун (KR) Ли Чеол Су (KR)
Патентообладатели:
Вавилин Константин Викторович (RU) Кралькина Елена Александровна (RU) Павлов Владимир Борисович (RU) Ко Сеок Кеун (KR) Ли Чеол Су (KR)
Реферат
Изобретение относится к способу и устройству плазменного осаждения полимерных покрытий. Обрабатываемые образцы помещают в вакуумную камеру. Заполняют вакуумную камеру реакционным газом, содержащим, по меньшей мере, один способный к плазменной полимеризации газ-мономер. Генерируют плазму посредством зажигания и поддержания двухступенчатого тлеющего разряда в двух пространственно разделенных разрядных объемах и осаждают полимерное покрытие на поверхность обрабатываемого образца. Первый разрядный объем отделяют от второго разрядного объема с помощью перфорированного электрода, размер отверстий в котором превышает 0,1 мм. Обрабатываемый образец устанавливают на электроде, который размещают во втором разрядном объеме напротив перфорированного электрода. На электрод, служащий держателем обрабатываемого образца, подают потенциал смещения относительно перфорированного электрода. В первом разрядном объеме могут использоваться различные виды газового разряда: индукционный высокочастотный разряд, емкостный высокочастотный разряд, разряд постоянного тока. Разряд может поддерживаться в импульсной форме. В процессе плазменной полимеризации регулируют расстояние между перфорированным электродом и электродом, служащим держателем обрабатываемого образца. Изобретение позволяет обеспечить независимое регулирование скорости осаждения полимерного покрытия, структуры и свойств осаждаемого покрытия при высокой производительности технологического процесса. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента