JP 2002-15513 A, 24.05.2002. SU 522281 A, 07.10.1976. RU 2063473 C1, 10.07.1996. RU 2099440 C1, 20.12.1997. SU 767232 A, 02.10.1980. SU 717150 A, 25.02.1980. SU 1002404 A, 10.03.1983. JP 2000-054151 A, 22.02.2000. JP 2002-339075 A, 27.11.2002.
Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке. Пленка (22) поддерживается между парой подвижных барабанов, расположенных на стороне входа и стороне выхода участка осаждения (25) по отношению к направлению перемещения пленки (22). Затем пленку (22) заставляют перемещаться линейно в место осаждения. Расстояние между решеткой для распыления (37) и пленкой (22) сохраняется постоянным, и качество слоя получается гомогенным. Пленку нагревают с помощью металлической ленты (40), одновременно перемещающейся на обратной стороне пленки. Подвижные барабаны поднимаются из положения осаждения в положение самоочистки, и пленка (22) может быть отделена от решетки для распыления (37). Самоочистка может быть проведена на пути осаждения на пленку, закрывая щель маски (51) заслонкой (65) и, таким образом, предотвращая рассеяние очищающего газа. Изобретение позволяет получить высокое качество слоя за счет подачи реакционного газа равномерно к площади осаждения пленки, и можно выполнять процесс самоочистки участка осаждения на пути осаждения на пленку. 18 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента