КУДИНОВ В.В. и др. Нанесение покрытий напылением. Теория, технология и оборудование. - М.: Металлургия, 1992, с.144-148. RU 2362839 C1, 27.07.2009. RU 2399695 С1, 20.09.2010. ЕР 1231294 А1, 14.08.2002. DE 3051265 А1, 09.01.1997.
Имя заявителя:
Государственный научный центр Российской Федерации - федеральное государственное унитарное предприятие "Исследовательский Центр имени М.В. Келдыша" (RU)
Изобретатели:
Евдокимова Татьяна Александровна (RU) Полянский Михаил Николаевич (RU) Савушкина Светлана Вячеславовна (RU)
Патентообладатели:
Государственный научный центр Российской Федерации - федеральное государственное унитарное предприятие "Исследовательский Центр имени М.В. Келдыша" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области нанотехнологий, используемых для нанесения покрытий, и может быть использовано в машиностроительной промышленности, а именно в ракетостроении и авиастроении. Способ включает установку плазмотрона в камеру с пониженным давлением, размещение подложки для нанесения покрытия в камере, поддержание динамического вакуума в камере, подачу плазмообразующего газа и порошка напыляемого материала в плазмотрон и распыление материала сверхзвуковым потоком плазмы в камере с образованием расплавленных частиц порошка и паровой фазы распыляемого материала. Перед подложкой, на которую наносятся покрытие, устанавливают маску с отверстиями и перемычками между ними, обеспечивают обтекание перемычек паровой фазой напыляемого вещества, создают за перемычками волны разряжения, в которых происходит конденсация паровой фазы с образованием наночастиц, которые выпадают на подложку и формируют покрытие в виде узких полос, состоящих только из наночастиц и находящихся вокруг участков покрытия, созданного напротив отверстий маски из частиц порошка. Сдвигают маску относительно нанесенного покрытия и формируют следующие слои покрытия на нанесенном слое с получением покрытия со структурой из нескольких нанесенных слоев. Улучшаются рабочие характеристики покрытия при многократных термоциклических нагрузках. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента