JP 2004-010943 A, 15.01.2007. JP 63-259074 A, 26.01.1988. US 5229570 A, 20.07.1993. SU 191002 A, 09.03.1967. SU 490383 A1, 15.01.1994. JP 06-346231 A, 20.12.1994. WO 9014682 A, 29.11.1990. JP 09-170074 A, 30.06.1997.
Изобретение относится к устройству для вакуумного парового осаждения слоя на подложку путем облучения материала напыления. Устройство содержит источник - испаритель материала напыления, электронную пушку Пирса, расположенную напротив источника-испарителя. Снаружи вакуумной камеры, с задней стороны поверхности излучения электронного пучка, за точкой испарения источника-испарителя расположен постоянный магнит для создания магнитного поля, по существу, перпендикулярного направлению падения электронного пучка и практически параллельного поверхности излучения электронного пучка источника-испарителя, для отклонения и направления электронного пучка к точке испарения источника-испарителя. В результате получают нанесенный паровым осаждением слой с большой скоростью осаждения посредством направления электронного пучка на точку испарения испаряемого и осаждаемого материала, содержащегося в источнике-испарителе в вакуумной камере, и оптимизация диапазона излучения электронного пучка в точке испарения. 9 з.п. ф-лы, 27 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента