|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ СВЧ - ПЛАЗМЕННОГО ОСАЖДЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ С МАЛЫМ РАДИУСОМ КРИВИЗНЫ |  |
Номер публикации патента: 2215820 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C23C014/40 C23C014/06 | | Аналоги изобретения: | RU 2117070 C1, 10.08.1998. RU 2020777 С1, 30.09.1994. SU 1589901 А2, 20.12.1998. ЕР 0253361 А1, 20.01.1998. US 4994164 A, 19.02.1991. |
| Имя заявителя: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН | | Изобретатели: | Редькин С.В.
Аристов В.В. | | Патентообладатели: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к области осаждения диэлектрических пленок с включениями кристаллической фазы на металлические поверхности с малым радиусом кривизны и может найти применение при изготовлении различных инструментов, в частности, для использования в медицине. Способ включает синтез в скрещенных потоках плазмообразующего и кремнийсодержащего газов вблизи или на нагретой ИК- излучением до температуры 80-200oС обрабатываемой поверхности.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента