|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2181787 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C23C014/48 | | Аналоги изобретения: | RU 2087586 A1, 20.08.1997. З.ШИЛЛЕР и др. Электронно-лучевая технология. - М.: Энергия, 1980, с.8-28. SU 1593288 A, 23.07.1992. FR 2594835 A1, 08.28.1987. |
| Имя заявителя: | Уфимский государственный авиационный технический университет | | Изобретатели: | Будилов В.В.
Агзамов Р.Д.
Киреев Р.М. | | Патентообладатели: | Уфимский государственный авиационный технический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к машиностроению, а именно, к изготовлению изделий для электронной промышленности методом ионной имплантации. Предложен способ ионной имплантации, включающий имплантацию ионов в обрабатываемую поверхность на глубину, превышающую проецированный пробег ионов, при одновременной подаче на обрабатываемую поверхность положительного потенциала для облучения ее во внешнем электрическом поле электронами с нагревом мишени и ее диффузионным отжигом. При облучении для создания направленного движения электронов к мишени в качестве источника термоэлектронной эмиссии используют подогреваемый катод, а анодом источника термоэлектронной эмиссии при этом является мишень. Техническим результатом изобретения является повышение качества обработки за счет отсутствия на обрабатываемой поверхности инородных включений. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента