|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВАКУУМНО - ДУГОВОЙ ИСТОЧНИК ПЛАЗМЫ |  |
Номер публикации патента: 2098512 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C23C014/32 | | Аналоги изобретения: | Мойжес Б.Я., Немчинский В.А. Эрозия и катодные струи вакуумной дуги. - ЖТФ, 1980, т. 50, N 1, с. 78 - 86. Немчинский В.А. О движении катодного пятна вакуумной дуги. - ЖТФ, 1979, т. 49, N 7, с. 1379 - 1384. Аксенов И.И., Хороших В.М. Потоки частиц и массоперенос в вакуумной дуге.: Обзор. - М.: ЦНИИатоминформ, 1984. Дороднов А.М., Петросов В.А. О физических принципах и типах вакуумных технологических плазменных устройств. - ЖТФ, 1981, т. 51, N 3, с. 504 - 524. Кесаев И.Г. Катодные процессы электрической дуги.- М.: Наука, 1968. SU, авторское свидетельство, 426540, кл. С 23 C 14/32, 1976. SU, авторское свидетельство, 901358, кл. С 23 С 14/32, 1982. SU, авторское свидетельство, 565949, кл. С 23 С 14/32, 1977. Карпов Д.А., Потехин С.Л. Способы магнитной локализации катодных пятен вакуумной дуги и конструкции электродуговых испарителей с магнитной стабилизацией. - Препринт НИИЭФА им. Д.В. Ефремова, НИИЭФА-П-А-0588, 1962. |
| Имя заявителя: | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет | | Изобретатели: | Абрамов И.С.
Быстров Ю.А.
Лисенков А.А. | | Патентообладатели: | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет |
Реферат | |
Сущность изобретения: вакуумно-дуговой источник плазмы, содержащий протяженный цилиндрический катод, протяженную магнитную систему, дугогасящий экран, поджигающий электрод и анод, снабжен протяженной магнитной системой, выполненной в виде спирали, установленной соосно катоду, витки которой охватывают его рабочую поверхность, при этом один из вводов магнитной системы соединен с положительным полюсом источника питания дугового разряда, а другой заземлен. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента