Изобретение относится к области оксидирования стального материала, Для получения после охлаждения стального материала требуемой толщины оксидной пленки допускают образование оксидной пленки на поверхности стального материала dH2O+dO215 нм, где dH2O - толщина оксидной пленки, образующейся с участием водяного пара в качестве окисляющей субстанции (нм): dH2O={5,50·10-3(Ti2-To2)-6,51(Ti-To)}/CR, где То573 K; dO2 - толщина оксидной пленки, образующейся с участием растворенного кислорода в качестве окисляющей субстанции (нм); dO2=7,98·10-4(Ti-To)dDo, где To573 K; Тi - начальная температура охлаждения водой (K); То - конечная температура охлаждения водой (K); d - толщина стального материала (мм); Do - концентрация кислорода, растворенного в охлаждающей воде (мг·л-1); СR - скорость охлаждения (K·с-1). Для охлаждения нагретого стального материала используют охлаждающую воду с пониженным содержанием растворенного кислорода, полученную с помощью аппарата деаэрации. Получают стальной материал с толщиной оксидной пленки (dH2O+dO2), равной 15 нм или менее. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента