ОЖЕРЕЛЬЕВ О.А. Сублимационная очистка фторидов циркония, гафния, титана. - Новосибирск: Наука, 2005, с.131-134. EA 200700825 A1, 31.08.2007. US 5176878 A, 05.01.1993. EP 0123634 A1, 31.10.1984. RU 2027673 C1, 27.01.1995.
Имя заявителя:
Буйновский Александр Сергеевич (RU), Русаков Игорь Юрьевич (RU), Софронов Владимир Леонидович (RU)
Изобретатели:
Буйновский Александр Сергеевич (RU) Русаков Игорь Юрьевич (RU) Софронов Владимир Леонидович (RU)
Патентообладатели:
Буйновский Александр Сергеевич (RU) Русаков Игорь Юрьевич (RU) Софронов Владимир Леонидович (RU)
Реферат
Изобретение относится к химической технологии получения ядерно-чистого циркония, конкретно к технологии очистки циркония от гафния, и может быть использовано на рудоперерабатывающих предприятиях и в атомной промышленности. Способ разделения циркония и гафния включает сублимацию при нагреве исходного тетрафторида циркония, содержащего тетрафторид гафния, и десублимацию образующихся паров. Пары фторидов перед десублимацией пропускают над или через слой диоксида циркония, содержащего не более 0,03 мас.% гафния. При этом высота слоя при пропускании через слой диоксида циркония составляет 140-150 мм, а при пропускании над слоем диоксида циркония длина слоя составляет 1950-2100 мм. Техническим результатом изобретения является проведение процесса разделения циркония и гафния за одну ступень в одном аппарате. Сам процесс является безотходным, так как образующийся в результате реакции диоксид гафния является промежуточным продуктом для получения металлического гафния. 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента