КИДИБАЕВ М.М. и др. Термолюминесценция кристаллов KNaSO4, Известия НАН КР, 2007, 4, с.14-17. RU 2370788 C1, 20.10.2009. US 3926836 A, 16.12.1975. US 3927328 A, 16.12.1975. МАМЫТБЕКОВ У.К. и др. Люминесценция кристаллов двойных сульфатов с медью при возбуждении синхротронным излучением ВУФ-мягкого рентгеновского диапазона.
Имя заявителя:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU)
Изобретатели:
Кидибаев Мустафа Мусаевич (KG) Шаршеев Каныбек (KG) Мамытбеков Уланбек Кыдырович (KG) Денисов Геннадий Степанович (KG) Мильман Игорь Игоревич (RU) Шульгин Борис Владимирович (RU) Лисиенко Дмитрий Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано при измерении рентгеновского и гамма-излучения в персональной дозиметрии, при определении дозозатрат персонала рентгеновских кабинетов и обслуживающего персонала мобильных комплексов радиационного контроля, а также при радиоэкологическом мониторинге в зонах с повышенным радиационным фоном, в частности, на территориях хвостохранилищ урановых руд. Рабочим веществом для термолюминесцентного детектора рентгеновского и гамма-излучения является двойной K-Na-сульфат состава K 2-xNaxSO4, где x=0,4-0,6. Исходную смесь, содержащую, мас.%: K2SO4 33,2-33,6, Na2SO4 66,4-66,8, перемешивают, растворяют в воде в соотношении 1:1. Выращивание кристаллов состава K 2-xNaxSO4 ведут путем медленного изотермического испарения полученного водного раствора при pH 4-6, температуре 38,1-38,5°C и подсветке в течение суток светом красной лампы. Выращенные кристаллы нагревают на воздухе до температуры 150-160°C со скоростью 2,0-2,2°C/с, выдерживают при этой температуре в течение 3-5 мин и охлаждают в режиме естественного остывания кристаллов. Изобретение обеспечивает увеличение световыхода и чувствительности ТЛД-детектора рентгеновского и гамма-излучения. 2 н.п. ф-лы, 2 ил., 5 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента