SU 258500 A1, 26.01.1972. DE 3913182 A1, 21.12.1989. JP 62054785 A, 10.03.1987. GB 1261600 A, 26.01.1972. JP 8325565 A, 10.12.1996. JP 8325568 A, 10.12.1996.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)" (RU)
Изобретатели:
Сычев Максим Максимович (RU) Бахметьев Вадим Владимирович (RU) Комаров Евгений Валериевич (RU) Мякин Сергей Владимирович (RU) Васильева Инна Васильевна (RU) Корсаков Владимир Георгиевич (RU) Огурцов Константин Александрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к химической технологии, в частности к способу получения электролюминофоров на основе сульфида цинка. Сущность изобретения заключается в том, что исходную шихту, содержащую сульфид цинка, серу, хлорид аммония и активатор меди CuCl, подвергают радиационному модифицированию, воздействуя на нее пучком ускоренных электронов с энергией 900 кэВ при поглощенной дозе 200-1000 кГр или гамма-лучами с энергией 1250 кэВ при поглощенной дозе 200-600 кГр. Обработанную шихту далее прокаливают при 950±10°С в течение 90 мин в кварцевых тиглях с последующим размалыванием, просеиванием и отжигом полученного полупродукта на воздухе при 650±10°С в течение 60 мин, затем размалывают и просеивают целевой продукт. Изобретение позволяет повысить яркость электролюминесценции цинксульфидных электролюминофоров на 60-64% по сравнению с известным способом без радиационной обработки. 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента