|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИГАЛОИДНОЙ АНИОНООБМЕННОЙ СМОЛЫ |  |
Номер публикации патента: 2083604 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C08J005/20 C08F008/22 C08F212/36 | | Дополн. коды МПК: | C08F212/36 C08F212/14 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4594392, кл. C 08 F 8/22, 1986. 2. Аксененко Н.В. и др. Химия и технология воды, 1989, вып. 11, N 2, с. 181. 3. I.L.Lambert etal, Ind. Eng. Prood. Res. Dev., 1980, N 19, с. 256. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт пластических масс им.Г.С.Петрова с опытным московским заводом пластмасс" | | Изобретатели: | Солнцева Д.П.
Краснов М.С.
Воробьева Н.И. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт пластических масс им.Г.С.Петрова с опытным московским заводом пластмасс" |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения полигалоидной анионообменной смолы, предназначенной для обеззараживания конденсатов в системах водообеспечения и питьевой воды. Задача изобретения - разработка способа получения полигалоидной анионнобменной смолы менее протяженного во времени при меньшем расходе иода и KJ при сохранении на уровне известных технических решений ресурсных и обеззараживающих свойств галогенированного анионита. Полигалоидную анионообменную смолу получают из высокоосновного четвертичноаммониевого анионита путем обработки его 2 - 5 моль/л раствором хлорида натрия в 0,1 - 0,3 моль/л растворе соляной кислоты, отмывки и сушки анионита до остаточной влажности 5 - 15% с последующим иодированием его раствором J2 в KJ при перемешивании. Мольное соотношение анионит : йод : иодистый калий составляет 1,0 : 0,8 - 1,2 : 0,7 - 1,0. После иодирования анионит термостабилизируют в том же растворе при температуре 45 - 55oC. 1 з.п. ф-лы, 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента