Ефремов А.А., Рябенко Е.А., Нечаева Г.Ю. и др. Физико-химические основы получения особо чистых кремний-органических соединений для микроэлектроники. - Высокочистые вещества, 1993, 6, с.68-87. JP 61087686 А, 06.05.1986. RU 1508539 C, 20.11.1999. JP 63316788 А, 26.12.1988. ЕР 0277825 А2, 10.08.1988. GB 2014171 А, 02.02.1979.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки Российской Федерации (RU), ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ" (RU)
Изобретатели:
Гринберг Евгений Ефимович (RU) Левин Юрий Исаакович (RU) Санду Роман Александрович (RU) Ухин Владимир Иванович (RU) Рябцева Марина Викторовна (RU) Стрельникова Инна Евгеньевна (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки Российской Федерации (RU) ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к глубокой очистке алкилсилоксанов и алкилсилазанов, применяемых в производстве фоторезисторов и микроэлектронике. Предложен способ очистки, включающий три основные стадии: ректификацию, фильтрацию в жидкой и паровой фазах на пористых полимерных фильтрах с размерами пор 0,1-0,2 мкм и испарение с последующей конденсацией в безпузырьковом режиме при скорости испарения 0,01-0,2 см3/час·см2. Технический результат: предложенный способ обеспечивает получение высокочистых алкилсилоксанов и алкисилазанов с содержанием основного вещества на уровне 99,99 мас.% и гетерогенных микропримесей менее 10 частиц на см3. 6 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента