|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛИФТОРИРОВАННЫЕ ДИИМИНАТЫ МЕТАЛЛОВ В КАЧЕСТВЕ ПРЕДШЕСТВЕННИКОВ ДЛЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ РАЗЛИЧНЫХ ТВЕРДЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ И ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЗЕРКАЛ |  |
Номер публикации патента: 2146260 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C07F015/02 C07F015/04 C07F015/06 C07F001/08 C07F003/06 | | Аналоги изобретения: | Chemical Abstracts, 1982, т.97, N 8, реферат 62938 у. РЖХ, 1982, N 16(1), реферат 16Б1461. Bo Zheng et.al., Device-quality copper using chemical vapor deposition of B-diketonate sourse precursors in liquid solution. Appl. Phys. Lett., 1992, т.61, N 18, с.2175 - 2177. E.S. Choi et al., Chemical vapor depjsition of copper with a new metalorganic sourse. Appl. Phys. Lett., 1996, т.68, N 7, с.1017 - 1019. A.V.Gelatos et al., Chemical vaper deposition of copper from Cu<SP>+1</SP> precursors in the presense of water vapor. Appl. Phys. Lett., 1993, т.63, N 20, с.2842 - 2844. |
| Имя заявителя: | Институт элементоорганических соединений им. А.Н.Несмеянова РАН | | Изобретатели: | Петрова О.Е.
Курыкин М.А.
Овчинникова Е.В.
Дробот Д.В.
Горлов Д.В. | | Патентообладатели: | Институт элементоорганических соединений им. А.Н.Несмеянова РАН |
Реферат | |
Изобретение касается новых соединений - полифторированных дииминатов металлов формулы I, в которой RF представляет собой СF3, C2F5 и C4F9, М представляет собой Fе(III), Со(II), Ni, Сu, Zn; n равно 2 или 3; при условии, что, когда RF представляет собой СF3, М не может являться Со(II), Ni, Сu, Zn. Новые соединения обладают повышенной стабильностью, хорошей растворимостью практически во всех органических растворителях и могут быть использованы в качестве предшественников для металлизации различных поверхностей, в том числе для получения металлических зеркал. 1 табл. 
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента