US 5271955 А, 21.12.1993. SU 530869 A1, 05.10.1976. JP 3164849 B2, 14.05.2001. JP 6211522 A, 02.08.1994. JP 2006335 A, 10.01.1990. СОЛОВЬЕВА Л.И. и др. Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца, полученные золь-гель методом с использованием алкоголятов металлов// Неорганические материалы. - 1996, т.32, 7, с.866-874.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики" (RU)
Изобретатели:
Вишневский Алексей Сергеевич (RU) Воротилов Константин Анатольевич (RU) Котова Нина Михайловна (RU) Сигов Александр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики" (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано в производстве энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств. Способ приготовления безводных пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца включает получение безводного ацетата свинца и его растворение в безводном органическом растворителе с добавлением алкоголятов циркония и титана и последующее осуществление реакций комплексообразования. Безводный ацетат свинца получают методом твердофазного синтеза из оксида свинца РbО с применением абсолютных реагентов: уксусного ангидрида и затравочного количества уксусной кислоты с последующим высушиванием полученной массы до сыпучего состояния, обеспечивающим безводному ацетату свинца выраженную кристаллическую структуру, при этом растворение полученных кристаллов безводного ацетата свинца и реакции его комплексообразования с алкоголятами циркония и титана осуществляют при температуре 15÷40°С. Изобретение позволяет улучшить стабильность и увеличить срок хранения получаемых растворов, повысить экологическую безопасность способа, 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента