US 5656218 А, 12.08.1997. RU 2033987 C1, 30.04.1995. RU 2031886 C1, 27.03.1995. SU 1390222 A1, 23.04.1988. US 5756409 A, 26.05.1998.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)" (RU)
Изобретатели:
Вихман Сергей Валерьевич (RU) Кожевников Олег Александрович (RU) Орданьян Сукяс Семенович (RU) Чупов Владимир Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области производства композиционного материала на основе карбида кремния и сложного оксидного связующего, способного работать в агрессивных средах, а также в условиях ударно-динамических нагрузок, а именно в качестве материала для пар трения и бронезащитных изделий. Техническим результатом изобретения является повышение прочности, плотности и твердости изделий, при низкой их пористости. Растворный способ получения карбидокремниевой шихты с оксидным активатором спекания, включающий нанесение на поверхность частиц карбида кремния -SiC, активатора спекания состава, содержащего 3,7 мас.% оксида магния MgO, 24,7 мас.% оксида иттрия Y2О 3 и 71,6 мас.% оксида алюминия Аl2О3 , причем нанесение осуществляют на частицы -SiC, диспергированные в водных растворах нитратов магния, иттрия и алюминия, путем осаждения ионов Mg2+ на 1/3 часть -SiC, взятого в виде суспензии в водном растворе гидроксида натрия NaOH, а смеси ионов Y3+ и Аl3+ на 2/3 части -SiC, взятого в виде суспензии в водном растворе гидроксида аммония NH4OH, при этом осаждение указанных ионов осуществляют в форме гидроксидов с последующей термодеструкцией их до оксидных форм в интервале Т=400-700°С и смешиванием получают шихту, включающую 0,24-0,55 мас.% MgO, 2,50-3,71 мас.% Y2О3, 7,20-10,76 мас.% Аl2О 3 и остальное -SiC. 2 н.п. ф-лы, 2 пр., 1 табл., 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента