

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПОРОШОК MoO2, СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИНЫ ИЗ ПОРОШКА MoO2 (ИХ ВАРИАНТЫ), ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ ИЗ НЕЕ, СПОСОБ РАСПЫЛЕНИЯ С ПРИМЕНЕНИЕМ УКАЗАННОЙ ПЛАСТИНЫ

Номер публикации патента: 2396210

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2006105325/15

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	C01G039/02 C04B035/495 C23C014/08 H01L051/54 H01L021/203
Аналоги изобретения:	JP 63030321 А, 09.02.1988. US 4595412 А, 17.06.1986. RU 2206539 C1, 02.06.2003. RU 2110604 C1, 10.05.1998. RU 2117972 C1, 20.08.1998. US 2003030059 A1, 13.02.2003. RESSLER T. et al., Formation of bronzes during temperature-programmed reduction of МоО3 with hydrogen - an in situ XRD and XAFS study, Solid State lonics, 2001, vol.141-142, p.243-251.

Имя заявителя:	Х.К.Штарк Инк. (US)
Изобретатели:	МАКХЬЮ Лоуренс Ф. (US) КУМАР Прабхат (US) МИНДЕРИНГ Дэвид (US) ВУ Ричард (US) ВЕТТИНГ Герхард (DE) НИКОЛСОН Ричард (US)
Патентообладатели:	Х.К.Штарк Инк. (US)
Приоритетные данные:	22.07.2003 US 60/489,217 30.01.2004 US 60/540,911

Реферат

Изобретение может быть использовано при изготовлении органических светоизлучающих диодов, жидкокристаллических дисплеев, плазменной дисплейной панели, тонкопленочного солнечного элемента и других электронных и полупроводниковых устройств. Предложен элемент, включающий мишень ионного распыления, где эта мишень включает обработанную пластину из MoO₂ высокой чистоты. Способ изготовления такой пластины включает изостатическое прессование компонента из более чем 99% стехиометрического порошка MoO₂ в заготовку, спекание в вакууме этой заготовки при условиях поддержания более 99% стехиометрии MoO₂ и формирование пластины, включающей более 99% стехиометрического MoO₂. В другом варианте способа изготовления указанной пластины компонент, состоящий из порошка, содержащего более 99% стехиометрического MoO₂, обрабатывают в условиях горячего прессования с формированием пластины. Способ изготовления тонкой пленки включает стадии распыления пластины, содержащей более 99% стехиометрического MoO₂, удаления молекул MoO₂ с пластины и нанесения молекул MoO₂ на субстрат. Также предложен порошок MoO₂ и способ распыления указанной пластины с использованием магнетронного распыления, импульсного лазерного распыления, ионно-лучевого распыления, триодного распыления и их сочетания. Изобретение позволяет повысить работу выхода электрона материала мишени ионного распыления в органических светоизлучающих диодах. 6 н. и 10 з.п. ф-лы.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"