JIANHUA HU et al. Textured fluorine-doped ZnO films by atmospheric pressure chemical vapour deposition and their use in amorphous silicon solar cells, Solar cells, Elsevier sequoia, S.A., Lausanne, CH, v.30, N4, 01.05.1991, p.437-450, фиг.1, фиг.4)-Д1. US 4751149 A, 14.06.1988. HU J et al: Deposition of boron doped zinc oxide films and theirelectrical and optical properties, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. ELECTROCHEMICAL SOCIETY, MANCHESTER, NEW HAMPSHIRE, US, vol.139, N7, July 1992, p.2014-2022, фиг.4). US 4508054 A, 02.04.1985. RU 2274616 C1, 20.04.2006.
Имя заявителя:
ПИЛКИНГТОН ГРУП ЛИМИТЕД (GB), АРКЕМА, ИНК. (US)
Изобретатели:
АБРАМС Майкл Б. (US) КОРОТКОВ Роман И. (US) СИЛВЕРМАН Гэри С. (US) СМИТ Райан (US) СТРИКЕР Джеффери Л. (US)
Патентообладатели:
ПИЛКИНГТОН ГРУП ЛИМИТЕД (GB) АРКЕМА, ИНК. (US)
Приоритетные данные:
29.08.2006 US 60/840,914
Реферат
Изобретение относится к способу нанесения покрытия из оксида цинка на прозрачную основу. В заявке описан способ химического осаждения из паровой фазы для нанесения покрытия из оксида цинка на основу путем подачи двух потоков газообразных исходных веществ на поверхность основы и смешивания этих потоков газообразных исходных веществ вблизи этой поверхности в течение промежутка времени менее 1 секунды для образования покрытия из оксида цинка со скоростью осаждения более 5 нм/с. Основа перемещается мимо зоны перемешивания газов, при этом поверхность основы находится при атмосферном давлении и имеет температуру, достаточную для начала реакции между цинксодержащим соединением и водой. Технический результат изобретения - обеспечение возможности нанесения пленки оксида цинка путем химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении с высокими скоростями осаждения в процессе изготовления флоат-стекла. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 7 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента