СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМООБРАБОТАННОГО ПОКРЫТОГО ИЗДЕЛИЯ С ПРОЗРАЧНЫМ ПОКРЫТИЕМ ИЗ ПРОВОДЯЩЕГО ОКСИДА (ППО) ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ УСТРОЙСТВЕ
GUPTA A. et al. All-sputtered 14% CdS/CdTe thin film solar cell with ZnO:Al transparent conducting oxid, APPLIED PHYSICS LETTERS, v.85, 4, 16.07.2004. JP 52-94673 A, 09.11.1993, реф. CHOPRA K.L. et al. Transparent conductors, a status review, Electronics and optics, Thin solid films, 102, (1983). MARTINEZ M.A. et al. Deposition oftransparent and conductive Al-doped ZnO thin films for photovoltaic solar cells, Solar energy materials and solar cells, 45, (1997), p.75-86, c.78 (абзац 3), c.81, абзац 3. RU 2274675 С1, 20.04.2006.
Имя заявителя:
ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US)
Изобретатели:
КРАСНОВ Алексей (US)
Патентообладатели:
ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US)
Приоритетные данные:
08.02.2006 US 11/349,346
Реферат
Изобретение относится к изготовлению изделия с проводящим оксидным покрытием и может быть использовано при изготовлении фотогальванических приборов. В соответствии с предложенным способом пленку аморфного оксида металла наносят путем напыления на стеклянную подложку. Стеклянную подложку с аморфной пленкой и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой затем подвергают термической обработке при температуре, по крайней мере, 200°С. Термообработка вызывает преобразование аморфной пленки в пленку на основе кристаллического прозрачного проводящего оксида (ППО). Тепло, используемое в термообработке, вызывает возвращение аморфной пленки в состояние кристаллической пленки, что вызывает повышение пропускания видимого света и/или придает пленке электропроводность. В качестве аморфного оксида металла в способе могут быть использованы оксид олова, легированный сурьмой (SnOx:Sb), или оксид цинка, легированный алюминием и другой сопутствующей примесью, например ZnAlOx:Ag. Технический результат изобретения - создание стеклянной подложки с покрытием, обладающим достаточным уровнем проводимости для использования в фотогальванических приборах, 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента