WO 99/42635 A1, 26.08.1999. US 5994642 A, 30.11.1999. SU 1346692 A1, 23.10.1987. RU 2194798 C2, 20.12.2002. RU 2023745 C1, 30.11.1994. WO 83/03245 A1, 29.09.1983. PULKER H.K., Coating on glass, New York, Academic Press, гл.6, с.150.
Имя заявителя:
КАЛИКСО ГМБХ (DE)
Изобретатели:
ДЖОНСТОН Норман В. (US)
Патентообладатели:
КАЛИКСО ГМБХ (DE)
Приоритетные данные:
18.08.2004 US 60/602,405
Реферат
Изобретение относится к способу получения покрытий полупроводниковых материалов методом химического осаждения из паровой фазы. Техническим результатом изобретения является снижение стоимости получения фотоэлектрических панелей. Способ нанесения покрытия на стеклянную подложку, нагретую до температуры 585-650°С при атмосферном давлении, включает следующие операции: смешивание контролируемой массы полупроводникового материала и потока нагреваемого инертного газа; испарение полупроводникового материала в потоке нагретого инертного газа для получения текучей смеси, температура которой составляет 800-1100°С; направление текучей смеси практически при атмосферном давлении на подложку, имеющую прозрачное, электропроводящее покрытие; осаждение слоя полупроводникового материала на поверхность подложки. В качестве полупроводникового материала используют сульфид кадмия, теллурид кадмия. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента