RU 2278833 C1, 27.06.2006. EP 0873979 A1, 15.10.2003. EP 1069441 A1, 14.05.1998. WO 0034411 A1, 15.06.2000. GB 1420492 A, 07.01.1976.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева) (RU)
Изобретатели:
Саркисов Павел Джебраилович (RU) Сигаев Владимир Николаевич (RU) Стефанович Сергей Юрьевич (RU) Лопатина Елена Владимировна (RU) Орлова Елена Валерьевна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области изготовления пироэлектрических материалов, широко используемых в современной технике. Техническим результатом изобретения является получение недорогого стеклокристаллического пироэлектрического материала с высокой пироэлектрической добротностью и повышенным электрическим сопротивлением. Стеклокристаллический пироэлектрический материал включает оксиды лантана, бора, германия, самария и кремния при следующем соотношении компонентов, мол.%: La2O3 - 15-22,5, Sm2O3 - 2,5-10, SiO2 - 30-40, GeO2 - 10-20, B2O3 - остальное. Способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала включает расплавление в платиновом тигле шихты, прессование расплава, обеспечивающее получение стеклянных пластин, кристаллизацию и последующую поляризацию пластин. Кристаллизацию проводят при температуре 900-1000°С в поле температурного градиента в течение 6-8 ч с выделением твердых растворов состава La(1-х)SmxВGeуSi(1-у)O5, где х=0,1-0,4, у=0,2-0,4. Затем термообработанный образец подвергают поляризации в постоянном электрическом поле напряженностью 1-8 кВ/мм при температуре не выше 350°С. Стеклокристаллический текстурированный пироэлектрик характеризуется коэффициентом пироэлектричества (6,0 нКл/см2К), который в сочетании с низким значением (9) обеспечивает высокую пироэлектрическую добротность. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента