JP 2001287934 А, 16.10.2001. SU 631065 А, 10.11.1978. SU 1273347 A1, 30.11.1986. SU 948921 A1, 07.08.1982. SU 1782947 A1, 23.12.1992. SU 1723062 A1, 30.03.1992. RU 2286825 C1, 10.11.2006. RU 2096848 C1, 20.11.1997. RU 2278833 C1, 27.06.2006.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "ФазАР" (RU)
Изобретатели:
Ашурбейли Игорь Рауфович (RU) Быховцева Надежда Семёновна (RU) Мороз Александр Иванович (RU) Никулин Виктор Христофорович (RU) Орешин Вячеслав Николаевич (RU) Рыжик Яков Лазаревич (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "ФазАР" (RU)
Реферат
Изобретение относится к стеклокристаллическим материалам и стеклам для их получения, предназначенным для производства изделий электронной техники, преимущественно фазовращателей, модулей управляемых решеток, обладающим малыми диэлектрическими потерями в СВЧ-диапазоне в сочетании с относительно высокой диэлектрической проницаемостью. Технический результат - обеспечение получения заранее заданных и поддерживаемых в определенных пределах значений диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. Стеклокристаллический материал для СВЧ-техники на основе SiO2, Al2O3, MgO, TiO2, где стекло для его получения, содержащее, мас.%: SiO2 35,5-38,5; Al2O3 22,8-25,5; MgO 20-22,7; TiO2 16,2-18,8, подвергают термообработке по режиму: нагрев до температуры 1170-1240°С со скоростью 80-300°С/ч, выдержка при этой температуре в течение 4-7 часов, охлаждение до комнатной температуры со скоростью 80-200°С/ч. 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента