|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СТЕКЛО ДЛЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИЭЛЕКТРИКА ДЛЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ - НА - ИЗОЛЯТОРЕ |  |
Номер публикации патента: 2083515 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C03C010/06 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 948921, кл. C 03 C 10/00, 1982. Авторское свидетельство СССР N 440351, кл. C 03 C 8/06, 1972. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | | Изобретатели: | Кошелев Н.И.
Ермолаева А.И.
Петрова В.З. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) |
Реферат | |
Использование: для диэлектрической изоляции активных элементов кремниевых интегральных схем и создания структур типа кремний-на-изоляторе (КНИ) и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Стекло для стеклокристаллического диэлектрика для структур кремний-на-изоляторе содержит в мас.%: оксид кремния 46-59 БФ SiO2, оксид алюминия 20-23 БФ Al2O3, оксид бария 16-28 БФ BaO, оксид стронция 1-10 БФ SrO, оксид титана 0,01-8 БФ TiO2, оксид церия 0,01-0,5 БФ CeO2, оксид кальция 1-6 БФ CaO, оксид германия 1-8 БФ GeO2. КЛТР в интервале 20-800oC (39-40)·10-7K-1, диэлектрическая проницаемость при частоте 106 Гц 7,5-8. 3 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента