|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СТЕКЛО ДЛЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ - НА - ИЗОЛЯТОРЕ |  |
Номер публикации патента: 2083514 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C03C003/085 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4060423, кл. 106-53, 1977. 2. Авторское свидетельство СССР N 1143702, кл. C 03 C 3/085, 1985. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники | | Изобретатели: | Кошелев Н.И.
Ермолаева А.И. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники |
Реферат | |
Использование: для диэлектрической изоляции активных элементов кремниевых интегральных схем и создания структур кремний-на-изоляторе (КНИ) и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Стекло для структур кремний-на-изоляторе имеет следующий состав, в мас.%: оксид кремния 57-70 БФ SiO2, оксид алюминия 10-20 БФ Al2O3, оксид бария 9-25 БФ BaO, оксид стронция 1-12 БФ SrO, оксид циркония 0,1-2 БФ ZrO2, оксид кальция 1-6 БФ SaO, оксид стронция 1-6 БФ GeO2. КЛТР стекол в интервале 20-500oC (34-35)·10-7 K-1, диэлектрическая проницаемость при частоте 106 Гц 8-9. 3 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента