US 4546231 А, 08.10.1985. RU 2354616 С2, 10.05.2009. US 2005194364 A1, 08.09.2005. US 4224101 A, 23.09.1980. US 5922224 A, 13.07.1999. US 2006201983 A1, 14.09.2006. US 2002078806 A1, 27.06.2002. JP 2006-150385 A, 15.06.2006.
Имя заявителя:
Шретер Юрий Георгиевич (RU), Ребане Юрий Тоомасович (RU), Миронов Алексей Владимирович (RU)
Изобретатели:
Шретер Юрий Георгиевич (RU) Ребане Юрий Тоомасович (RU) Миронов Алексей Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Шретер Юрий Георгиевич (RU) Ребане Юрий Тоомасович (RU) Миронов Алексей Владимирович (RU)
Реферат
Изобретение относится к двум вариантам способа отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла. В первом варианте сфокусированный лазерный луч направляют на кристалл так, что фокус расположен в плоскости отделения слоя, перпендикулярной оси упомянутого луча, и перемещают лазерный луч с осуществлением сканирования фокусом в плоскости отделения слоя в направлении от открытой боковой поверхности кристалла вглубь с формированием непрерывной прорези. Во втором варианте генерируют импульсное лазерное излучение, направляют сфокусированный лазерный луч на кристалл так, что фокус расположен в плоскости отделения слоя, перпендикулярной оси упомянутого луча, перемещают лазерный луч так, что фокус перемещается в плоскости отделения слоя с формированием неперекрывающихся локальных областей с нарушенной топологией структуры кристалла и с ослабленными межатомными связями. Упомянутые локальные области распределяют по всей упомянутой плоскости. К отделяемому слою прикладывают внешнее воздействие, разрушающее упомянутые ослабленные межатомные связи. Изобретение позволяет отделять плоские латеральные поверхностные слои от полупроводниковых кристаллов, в частности слои с полупроводниковыми приборными структурами от полупроводниковых кристаллов, и тонкие полупроводниковые шайбы от цилиндрических полупроводниковых буль. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 14 ил., 12 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента