SU 1784583 A1, 30.12.1992. JP 2000281352 A, 10.10.2000. RU 2134245 C1, 10.08.1999. US 3677783 A, 18.07.1972. US 5874056 A, 23.02.1999. JP 5006808 A, 14.01.1993.
Имя заявителя:
ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПАРК "ИНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛЛОВ" (UA), ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС "ИНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛЛОВ" НАН УКРАИНЫ (UA)
Изобретатели:
Волошко Александр Юрьевич (UA) Софронов Дмитрий Семенович (UA) Шишкин Олег Валерьевич (UA) Бабийчук Инна Петровна (UA) Семиноженко Владимир Петрович (UA)
Патентообладатели:
ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПАРК "ИНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛЛОВ" (UA) ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС "ИНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛЛОВ" НАН УКРАИНЫ (UA)
Приоритетные данные:
20.11.2007 UA a200712862
Реферат
Изобретение может быть использовано для получения исходных веществ для выращивания кристаллов. Смешивают триоксид вольфрама или молибдена с оксидом двухвалентного металла и нагревают до 600-800°С воздействием микроволнового излучения частотой 2,45 ГГц в течение 0,12-0,3 часа. Изобретение позволяет уменьшить время синтеза и энергозатраты на его проведение.
Поиск патентов
Получить полное описание патента