|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТРИДА ГАЛЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 2341460 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C01G015/00 C01B021/06 | | Аналоги изобретения: | JP 2005179138 А, 07.07.2005. SU 683505 А, 05.03.1980. SU 189811 А, 16.12.1966. SU 1136501 A1, 20.11.1996. RU 2004100115 А, 10.04.2005. CN 1288079 А, 21.03.2001. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ СПбГТПУ) (RU) | | Изобретатели: | Семенча Александр Вячеславович (RU)
Ананичев Владимир Александрович (RU)
Блинов Лев Николаевич (RU)
Александров Сергей Евгеньевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ СПбГТПУ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к способам синтеза полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения GaN. Предложен способ получения GaN, в котором выполняют реакционную камеру в виде двух соединенных между собой емкостей. В первую емкость загружают хлор в герметичном сосуде и металлический галлий, а во вторую емкость загружают нитрид лития и аммиак в герметичном сосуде.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента