|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА |  |
Номер публикации патента: 2126064 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B029/34 C30B015/00 C01G015/00 | | Аналоги изобретения: | Сахаров С.А., и др. Монолитные фильтры на основе кристаллов лангасита, работающие на основных колебаниях сдвига. - Зарубежная электроника, М., 1986, с.12 - 13. RU 2052546 C1, 1996. SU 1506951 A1, 1992. SU 1228526 A1, 1993. Shimamura et al. "Growth and characterization of lanthanum gallium silicate La<SB>3</SB>Ga<SB>5</SB>SiO<SB>14</SB> single crystal for pieroelectric applications", J. of Grystal. Growth", 1996, v.163, p.388 - 392. Стасевич В.Н. Технология монокристаллов. - М.: Радио и связь, 1990, с.264 - 265. |
| Имя заявителя: | Рафида Девелопментс Инкорпорейтед (GB) | | Изобретатели: | Бузанов О.А.(RU)
Аленков В.В.(RU)
Гриценко А.Б.(RU) | | Патентообладатели: | Рафида Девелопментс Инкорпорейтед (GB) |
Реферат | |
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Сущность способа состоит в выборе ориентации затравочного кристалла, обеспечивающей выращивание методом Чохральского монокристаллов лангангаллиевого силиката вдоль направления <01.1>. Эта ориентация позволяет вырезать пластины под углом 90° от оси роста, обеспечивая минимальные потери материала и близкий к нулю температурный коэффициент частоты.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента