Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЧАСТИЦ ОКСИДОВ МЕТАЛЛА В ВОСХОДЯЩИХ ПЛАЗМЕННЫХ ПОТОКАХ

Номер публикации патента: 2404120

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008144530/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C01B013/28   C01G009/02   B82B001/00    
Аналоги изобретения: RU 2005121271 А, 20.01.2006. RU 2073638 С1, 20.02.1997. RU 2265076 С1, 27.11.2005. WO 2002086179 А, 31.10.2002. JP 2005-104830 А, 21.04.2005. 

Имя заявителя: Научно-инженерный центр Академии Инженерных Наук имени А.М. Прохорова (RU) 
Изобретатели: Мещанов Валерий Петрович (RU)
Сердобинцев Алексей Александрович (RU)
Веселов Александр Георгиевич (RU)
Попова Наталья Федоровна (RU)
Кирясова Ольга Александровна (RU) 
Патентообладатели: Научно-инженерный центр Академии Инженерных Наук имени А.М. Прохорова (RU) 

Реферат


Изобретение может быть использовано в медицине, в компонентах оболочки микрокапсул для прецизионной доставки лекарств. В магнетронной распылительной системе на постоянном токе распыляют цинковую мишень, выступающую в роли катода, в магнитном поле, обеспечивающем попадание атомов цинка из зоны распыления в восходящий плазменный поток. Для формирования потока вертикальная составляющая индукции магнитного поля на внешнем крае зоны распыления мишени превышает индукцию магнитного поля по внутреннему краю зоны распыления мишени не менее чем на 10%. Кольцевой анод располагают над металлической мишенью. Систему анод-катод размещают в вакуумной камере в атмосфере рабочего газа, представляющего собой кислород или аргон-кислородную смесь, в которой соотношение парциальных давлений аргона и кислорода составляет от 50%:50% до 1%:99%. Величина горизонтальной составляющей магнитного поля над зоной распыления мишени составляет не менее 500 Э. Давление рабочей смеси выбирают не превышающим 10-1 Па. Напряжение на аноде по отношению к мишени не менее 400 В. Изобретение позволяет получать наноразмерные кристаллические частицы оксида цинка при активации реакции и ее протекании в одной и той же области плазменного потока, что приводит к снижению энергопотребления и исключению необходимости в быстром охлаждении. 1 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"