КАРЯКИН Ю.В., АНГЕЛОВ И.И. Чистые химические вещества. - М.: Химия, 1974, с.223-224. SU 317620 А1, 04.01.1972. SU 1682315 А1, 07.10.1991. US 4276268 А1, 30.06.1981. ЕР 0416993 А1, 13.03.1991. ЕР 1352879 А1, 15.10.2003. RO 87251 А, 30.07.1985.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Элеконд" (RU)
Изобретатели:
Степанов Александр Викторович (RU) Конышев Владимир Сергеевич (RU) Лебедев Виктор Петрович (RU) Лановецкий Сергей Викторович (RU) Пойлов Владимир Зотович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Элеконд" (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано при получении солей марганца, применяемых в электронной промышленности в качестве сырья для изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов. Способ получения гексагидрата нитрата марганца включает растворение металлического марганца в растворе азотной кислоты, фильтрацию, отделение осадка примесей, упаривание раствора до концентрации 56-57% и кристаллизацию из концентрированного раствора путем охлаждения. Перед растворением металлический марганец измельчают до размера частиц 2,0-5,0 мм и выщелачивают разбавленной химически чистой азотной кислотой с последующей фильтрацией. Полученный раствор нитрата марганца очищают от примесей добавлением карбоната аммония и водного раствора аммиака с доведением рН до 6,5-6,7. Полученную после кристаллизации суспензию кристаллического осадка выдерживают при конечной температуре кристаллизации при постоянном перемешивании в течение 15-45 минут. Затем отделяют осадок гексагидрата нитрата марганца и промывают насыщенным раствором чистого нитрата марганца при температуре, равной конечной температуре кристаллизации. Изобретение позволяет повысить чистоту гексагидрата нитрата марганца и улучшить электрические характеристики оксидно-полупроводниковых конденсаторов, изготовленных с его использованием. 2 табл.