СПОСОБ РАФИНИРОВАНИЯ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПЛАЗМОЙ СУХОГО АРГОНА С ИНЖЕКЦИЕЙ ВОДЫ НА ПОВЕРХНОСТЬ РАСПЛАВА С ПОСЛЕДУЮЩЕЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ
RU 2159213 С2, 20.11.2000. ЕР 855365 A1, 29.07.1998. CN 101671024 A, 17.03.2010.
Имя заявителя:
Общество c ограниченной ответственностью "Энергия" (RU)
Изобретатели:
Карабанов Сергей Михайлович (RU) Джхунян Валерий Леонидович (RU) Ясевич Виктор Игоревич (RU)
Патентообладатели:
Общество c ограниченной ответственностью "Энергия" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния для фотоэлектронной промышленности, в том числе для изготовления солнечных батарей. Способ включает разогрев в тигле неочищенного кремния до получения расплава и обработку его поверхности плазменным факелом, содержащим инертный газ, направленным под острым углом к поверхности расплава, при этом разогрев и плавление неочищенного кремния производят с помощью резистивных нагревателей в вакууме в кварцевом тигле прямоугольной формы, температура дна которого контролируется с помощью оптического пирометра, при этом поверхность расплава кремния обрабатывают струей плазмы сухого аргона, одновременно подавая на нее порции дистиллированной воды объемом от 0.01 до 0.05 см3 под давлением 1000-1500 кгс/см2 через сопло-форсунку, после чего формируют слиток поликристаллического кремния методом контролируемой направленной кристаллизации. Технический результат направлен на получение из металлургического кремния чистотой 98-99.9%, слитка поликристаллического кремния степени чистоты 99.9999% при содержании фосфора не более 0.1 ppmw, бора от 0.1 до 1 ppmw, пригодного для изготовления фотопреобразователей промышленным способом. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента