RU 2324648 C2, 20.05.2008. JP 61247625 A, 04.11.1986. RU 2329949 C2, 27.07.2008. US 4382071 A, 03.05.1983.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения ОАО "НИИПМ" (RU)
Изобретатели:
Лебедев Эдуард Александрович (RU) Гомжин Иван Васильевич (RU) Тупикин Вячеслав Фёдорович (RU) Домницкий Иван Филлипович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения ОАО "НИИПМ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения тетрафторида кремния, используемого в производстве чистого поликристаллического кремния, пригодного, например, для изготовления солнечных батарей. Способ включает фторирование кварцита или кремния газом и последующее выделение тетрафторида кремния из образовавшейся газовой смеси. В качестве фторирующего газа выбирают фтористый водород (HF) или четырехфтористый углерод (CF4). При этом процесс фторирования ведут в низкотемпературной плазме, размещая кварцит или кремний в емкости, снабженной металлической мелкоячеистой сеткой, ниже зоны активной ионизации фторсодержащего газа. Предложенное техническое решение обеспечивает управляемость процесса, воспроизводимость, повышает надежность работы оборудования, а также экологическую безопасность. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента