US 4239740 А, 16.12.1980. US 4102767 А, 25.07.1978. RU 2181104 С2, 10.04.2002.
Имя заявителя:
БОСТОН СИЛИКОН МАТИРИАЛЗ ЛЛК (US)
Изобретатели:
МАТЕСОН Эндрю (US) КЁНИТЦЕР Джон В. (US)
Патентообладатели:
БОСТОН СИЛИКОН МАТИРИАЛЗ ЛЛК (US)
Приоритетные данные:
01.08.2007 US 60/953,450
Реферат
Изобретение относится к технологии получения высокочистого элементного кремния с помощью реакции тетрахлорида кремния с жидким металлическим восстанавливающим агентом при использовании двухреакторной установки. Способ включает следующие стадии: загрузку в первый реакционный аппарат жидкого тетрахлорида кремния и щелочного или щелочноземельного металлического восстанавливающего агента в жидкой форме при температурах ниже температуры кипения данного щелочного или щелочно-земельного металла, в результате чего получают смесь хлоридной соли щелочного или щелочно-земельного металла и элементного кремния, и отделение хлоридной соли щелочного или щелочно-земельного металла от элементного кремния во втором реакционном аппарате, при этом смесь хлоридной соли щелочного или щелочноземельного металла и элементного кремния разделяют путем нагрева второго реакционного аппарата до температуры выше температуры кипения хлоридной соли щелочного или щелочно-земельного металла; с использованием воды для растворения хлоридной соли щелочного или щелочно-земельного металла во втором реакционном аппарате или путем нагрева второго реакционного аппарата до температур в диапазоне от 600°С до температуры кипения хлоридной соли щелочного или щелочно-земельного металла с применением вакуума ниже 100 микрон с целью удаления соли щелочного или щелочно-земельного металла. Получаемый элементный кремний обладает чистотой, достаточной для производства кремниевых фотоэлектрических генерирующих устройств и других полупроводниковых устройств. 3 н. и 10 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента