Изобретение относится к установке, реактору и непрерывному способу получения высокочистого тетрахлорида кремния или высокочистого тетрахлорида германия посредством обработки подлежащих очистке тетрахлорида кремния или тетрахлорида германия, которые загрязнены, по меньшей мере, одним водородсодержащим соединением, при помощи холодной плазмы и последующей фракционной перегонки обработанной фазы. Обработку осуществляют в плазменном реакторе (4), в котором продольные оси диэлектрика (4.4), электрода (4.3) высокого напряжения и заземленного металлического теплообменника (4.2) ориентированы параллельно друг другу и одновременно параллельно вектору силы тяготения. Технический результат: повышение эффективности очистки соединений. 3 н. и 22 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента